山東省碳化硅材料重點實驗室（以下簡稱實驗室）由國內(nèi)碳化硅半導體材料龍頭企業(yè)山東天岳先進科技股份有限公司與齊魯工業(yè)大學（山東省科學院）聯(lián)合組建,，成立于2020年,，2024年獲批重組籌建。

實驗室瞄準碳化硅半導體材料領域國際學術前沿開展基礎理論與應用研究,，以解決碳化硅半導體材料大規(guī)模應用面臨的制備效率低下和成本高昂的問題,，同時研究碳化硅半導體器件批量制備工藝,，支撐半導體器件量產(chǎn)，推動碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新,。

實驗室凝聚了一支具有不同學科背景的研究隊伍,，包括材料學、化學,、半導體物理等專業(yè)業(yè),，并且逐步形成了交叉融合、特色鮮明的優(yōu)勢學科方向,。近年來,，圍繞極高溫環(huán)境下的碳化硅生長多組分氣相流場傳輸和反應模型與理論，碳化硅單晶缺陷形成和演化物理機制,，碳化硅晶體內(nèi)應力產(chǎn)生和控制原理,，碳化硅同質(zhì)外延生長動力學，外延過程中雜質(zhì)與缺陷行為,，載流子輸運與表面界面散射機理等進行深入研究,，開發(fā)了提高碳化硅基器件載流子遷移率的新結(jié)構和新方法，形成了鮮明的研究特色,，并取得了突出成果,。

實驗室聚焦碳化硅前沿技術開發(fā)、產(chǎn)業(yè)技術攻關,，培養(yǎng)和招引行業(yè)高端人才,，引領碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，占據(jù)新的科技競爭高地,，促進實現(xiàn)我省高質(zhì)量快速發(fā)展目標,。