主要開(kāi)展第三代半導(dǎo)體（GaN,、AlN）單晶的生長(zhǎng),、加工及缺陷研究，生長(zhǎng)出高質(zhì)量晶體,，為我國(guó)高性能半導(dǎo)體器件的自主研發(fā)提供強(qiáng)力支撐,，有助于突破國(guó)外封鎖,，解決我國(guó)半導(dǎo)體的“缺料,、缺芯”問(wèn)題。